微小晶體生長過程的光學診斷實驗研究

將光學干涉技術(shù)與顯微技術(shù)相結(jié)合,應(yīng)用計算機技術(shù)、圖像處理技術(shù)發(fā)展形成一種實時細觀診斷的實驗方法--光學細觀干涉診斷技術(shù);實時觀測了KCl晶體在容積為3mm×3mm×4.5mm的生長池內(nèi)的結(jié)晶過程,得到了該過程的晶體的表面形貌、生長速率、以及晶體生長尺寸與時間、濃度與時間的定量的關(guān)系,觀測到由重力引起的浮力對流現(xiàn)象,它直接影響晶體的生長.實驗表明重力對晶體生長形態(tài)有很大的影響;生長速率與濃度存在很大的依賴關(guān)系.

作 者： 段俐 康琦 束繼祖   作者單位： 中國科學院力學研究所國家微重力實驗室,北京,100080  刊 名： 力學學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA MECHANICA SINICA  年，卷(期)： 2002 34(3)  分類號： O3  關(guān)鍵詞： 濃度場   傳質(zhì)過程   晶體生長   干涉測量  

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